برچسب: سامسونگ

مقالات گرندسیستم

1 دقیقه زمان مطالعه

سامسونگ از مانیتورهای جدید سری اودیسه با نرخ نوسازی تا ۱۱۰۰ هرتز رونمایی کرد

سامسونگ از مانیتورهای جدید سری اودیسه با نرخ نوسازی تا ۱۱۰۰ هرتز رونمایی کردنمایشگرهای جدید سامسونگ به پنل‌های IPS و OLED مجهز هستند و گیمرهایی را هدف قرار داده‌اند که به نرخ فریم بالا در بازی‌ها، اهمیت بیشتری در مقایسه با رزولوشن می‌دهند. نسل جدید مانیتورهای اودیسه سامسونگ با رفرش ریت از ۱۱۰۰ تا ۷۲۰ هرتزسامسونگ به‌تازگی در نمایشگاه گیمزکام، از چهار نمایشگر جدید مخصوص بازی خود رونمایی کرد که به جدیدترین فناوری‌های این شرکت، مجهز هستند. چشم‌گیرترین محصول در میان آن‌ها، نمایشگر ۲۷ اینچی اودیسه G6 است که به گفته سامسونگ، اولین نمایشگر مخصوص بازی ۱۱۰۰ هرتزی دنیا به‌شمار می‌رود. این رقم حتی از نمایشگر سال گذشته سامسونگ که در نمایشگاه CES با فریم‌ریت ۱۰۴۰ هرتز معرفی شد هم بیشتر است و توانسته رکورد کره‌ای‌ها را ۶۰ فریم جابه‌جا کند. سایر ویژگی‌های آن هم شامل زمان پاسخگویی ۱ میلی‌ثانیه و رزولوشن 1080p است؛ اگرچه می‌توان با استفاده از Dual Mode، رزولوشن 1440p را روی فریم‌ریت ۶۰۰ هرتز نیز تجربه کرد. عرضه اودیسه G6 با پنل IPS از سه‌ماهه سوم سال جاری میلادی آغاز خواهد شد. محصول بعدی در میان نمایشگرهای جدید سامسونگ، Odyssey OLED G8 است که از پنل ۳۲ اینچی با رزولوشن 4K بهره می‌برد و کاربر می‌تواند میان ۳ فریم‌ریت مختلف، جابه‌جا شود. در حالت پایه و رزولوشن 4K نرخ فریم برابر با ۳۶۰ هرتز است؛ اما در رزولوشن‌های 1440p و 1080p این رقم به ترتیب به ۵۲۰ و ۶۸۰ هرتز می‌رسد. پشتیبانی از استانداردهای فری‌سینک پرمیوم پرو، جی‌سینک و پوشش ضد انعکاس، از دیگر ویژگی‌های محصول هستند. سامسونگ هنوز تاریخ عرضه و قیمت آن را اعلام نکرده است. نمایشگر غول‌پیکر Odyssey OLED G9 گل سرسبد سامسونگ برای علاقه‌مندان به بازی‌های کامپیوتری است که در رزولوشن نامتعارف DQHD برابر با ۵۱۲۰ در ۱۴۴۰ پیکسل) می‌تواند نرخ فریم ۳۶۰ هرتز را در اختیار کاربر بگذارد. پنل QD-OLED Penta Tandem در این مدل با اندازه ۴۹ اینچ می‌تواند به حداکثر روشنایی حیرت‌انگیز ۱۳۰۰ نیت دست پیدا کند. همچنین کاربر قادر خواهد بود تا با کاهش رزولوشن به ۲۵۶۰ در ۷۲۰ پیکسل، نرخ فریم ۷۲۰ هرتز را تجربه کند. سایر جزئیات این محصول هنوز از سوی سامسونگ اعلام نشده است. محصول دیگر سامسونگ در سری اودیسه، نمایشگر ۴۲ اینچی خمیده Odyssey OLED G7 است که اولین نمونه خمیده با پنل اولد محسوب می‌شود که نسبت تصویر بزرگ‌تر از ۱۶ به ۹ را در اختیار کاربران می‌گذارد. پنل نمایشگر قادر به پشتیبانی از نرخ فریم ۱۶۵ هرتز است که در مقایسه با دیگر مدل‌های قبلی، چنگی به دل نمی‌زند؛ اما همچنان برای بسیاری از گیمرها رقم فوق‌العاده‌ای محسوب می‌شود. انحنای نمایشگر نیز برابر با 1000R اعلام شده و حداکثر رزولوشن 4K را پشتیبانی می‌کند. برای اطلاع از قیمت و تاریخ عرضه باید منتظر اطلاعیه‌های آتی سامسونگ بمانیم.

مقالات گرندسیستم

1 دقیقه زمان مطالعه

سامسونگ از حافظه‌های SSD اکسترنال سری P با سرعت ۴۰۰۰ مگابایت‌بر‌ثانیه رونمایی کرد

سامسونگ از حافظه‌های SSD اکسترنال سری P با سرعت ۴۰۰۰ مگابایت‌بر‌ثانیه رونمایی کردسامسونگ با معرفی جدیدترین حافظه‌های SSD اکسترنال خود، سطح سرعت و ظرفیت فضاهای ذخیره‌سازی پرتابل را ارتقا داد. این شرکت از دو حافظه جدید به نام‌های P9 و P7 رونمایی کرده که نسل تازه‌ای از این مدل‌ها محسوب می‌شوند و به رابط کاربری پیشرفته USB4 مجهز هستند. به‌طورکلی مدل پرچم‌دار P9 برای افراد حرفه‌ای طراحی شده که نیاز به جابه‌جایی سریع حجم عظیمی از داده‌ها دارند، در‌حالی‌که مدل P7 گزینه‌ای اقتصادی‌تر برای مصارف روزمره محسوب می‌شود. هر دو حافظه با گستره وسیعی از دستگاه‌ها شامل جدیدترین مدل‌های مک و آیپدهای پرچم‌دار سازگاری کامل دارند. حافظه پرتابل سامسونگ P9 مدل شاخص این مجموعه جدید است. سرعت خواندن متوالی این مدل به ۴۰۰۰ مگابایت‌بر‌ثانیه و سرعت نوشتن متوالی آن به ۳۸۰۰ مگابایت‌بر‌ثانیه می‌رسد. برای مقایسه، مدل پیشین این رده یعنی سامسونگ T9 حداکثر به سرعت ۲۰۰۰ مگابایت‌بر‌ثانیه در خواندن و نوشتن متوالی دست پیدا می‌کرد. سامسونگ اعلام کرده که P9 نخستین حافظه SSD پرتابل ۸ ترابایتی مجهز به USB4 در دنیا محسوب می‌شود که توانایی دستیابی به سرعت ۴۰۰۰ مگابایت‌برثانیه را دارد؛ این دستگاه توانسته در نمایشگاه فناوری CES سال ۲۰۲۶ جایزه نوآوری را نیز کسب کند. عملکرد پایدار در نوشتن داده‌ها در P9 به شکلی مهندسی شده است که بتواند به نیازهای سنگین حرفه‌ای نظیر ضبط مستقیم ویدیو با وضوح 12K پاسخ دهد. این ویژگی به عکاسان و فیلم‌برداران اجازه می‌دهد فایل‌های حجیم RAW و ویدیوهایی با وضوح فوق‌العاده بالا را مستقیماً ذخیره کنند و معطل حافظه‌های جانبی کندتر نشوند. ابعاد فیزیکی مدل P9 معادل ۸.۸۹ سانتی‌متر در ۶.۶۰ سانتی‌متر با ضخامت ۰.۷۶ سانتی‌متر است و وزن آن تنها ۹۹.۷۹ گرم است. اتصال و تبادل داده در آن از طریق یک پورت اختصاصی USB-C انجام می‌شود. مشخصات و قیمت حافظه‌های SSD اکسترنال سامسونگمدل سامسونگ P7 نیز با بهره‌گیری از استاندارد USB4، محصولی کاربردی برای عموم کاربران محسوب می‌شود. این حافظه با رایانه‌های رومیزی، لپ‌تاپ‌ها، گوشی‌های هوشمند، کنسول‌های بازی و دوربین‌ها سازگار است و طوری طراحی شده که در برابر سقوط از ارتفاع حدود ۲ متر، شوک‌های فیزیکی و لرزش‌ها مقاومت داشته باشد. ابعاد و وزن P7 مشابه مدل P9 بوده و دارای وزن حدود ۹۹.۷۹ گرم با ابعاد ۸.۸۹ در ۶.۶۰ با ضخامت ۰.۷۶ سانتی‌متر است. هر دو درایو P9 و P7 در ظرفیت‌های ۱ ترابایت، ۲ ترابایت، ۴ ترابایت و ۸ ترابایت به بازار عرضه می‌شوند. قیمت پایه P9 برای ظرفیت ۱ ترابایت از ۳۳۹.۹۹ دلار آغاز شده و در بالاترین ظرفیت یعنی ۸ ترابایت به ۲۶۹۹.۹۹ دلار می‌رسد. قیمت نسخه ۱ ترابایتی P7 نیز ۲۸۹.۹۹ دلار است و مدل ۸ ترابایتی آن ۲۲۸۹.۹۹ دلار قیمت دارد. طبق اعلام سامسونگ، عرضه جهانی سری P از ۳۱ آگوست (۱۰ شهریور) آغاز خواهد شد.

مقالات گرندسیستم

1 دقیقه زمان مطالعه

سامسونگ از نخستین نمایشگر اولد ۳۰۰ هرتزی جهان برای لپ‌تاپ‌ها رونمایی کرد

سامسونگ از نخستین نمایشگر اولد ۳۰۰ هرتزی جهان برای لپ‌تاپ‌ها رونمایی کرد سامسونگ دیسپلی در جریان نمایشگاه IMID 2026 در شهر بوسان کره جنوبی، از چندین فناوری پیشگامانه در حوزه پنل‌های اولد پرده برداشت. در میان این دستاوردها، معرفی پنل ۱۶ اینچی OLED ویژه لپ‌تاپ با نرخ نوسازی ۳۰۰ هرتز توجه زیادی را به خود جلب کرده است. علاوه‌بر این محصول، غول کره‌ای پنل اولد تاشو ۷.۶ اینچی جدیدی با زاویه دید گسترده‌تر را به نمایش گذاشت. ویژگی‌های پنل اولد ۳۰۰ هرتزی سامسونگ برای لپ‌تاپ‌ها این پنل ۱۶ اینچی اولد از وضوح 2.5K و نسبت تصویر ۱۶:۹ بهره می‌برد و پشتیبانی از نرخ نوسازی متغیر تا سقف ۳۰۰ هرتز آن را به گزینه‌ای ایده‌آل برای لپ‌تاپ‌های گیمینگ رده‌بالا تبدیل می‌کند. این نخستین پنل OLED لپ‌تاپ در جهان است که به چنین رفرش‌ریت بالایی دست پیدا می‌کند و انتظار می‌رود در آینده توسط برندهای بزرگ در ساخت لپ‌تاپ‌های گیمینگ پرچمدار به کار گرفته شود. سامسونگ جزئیاتی درباره حداکثر یا میانگین روشنایی این پنل منتشر نکرده، اما پشتیبانی از دامنه دینامیکی بالا (HDR) در آن پیش‌بینی می‌شود. همچنین این پنل به لطف ساختار اولد، مشکی مطلق، کنترل نور پس‌زمینه در سطح پیکسل و کنتراست بی‌نهایت ارائه می‌دهد. سامسونگ دیسپلی در کنار این پنل لپ‌تاپ، دو مانیتور گیمینگ مجهز به پنل QD-OLED را نیز معرفی کرد. مدل نخست یک پنل ۳۱.۵ اینچی با وضوح 4K و نرخ نوسازی متغیر ۳۶۰ هرتز است و مدل دوم شامل پنل فوق‌عریض ۳۴ اینچی با نسبت تصویر ۲۱:۹ و رفرش‌ریت متغیر ۳۶۰ هرتز می‌شود. در این نمایشگاه کانسپت‌های آینده‌نگرانه دیگری نیز از سوی سامسونگ به نمایش درآمد. از جمله این دستگاه‌ها به نمایشگر ۶.۹ اینچی موسوم به Humanoid Display با قابلیت ردیابی چشم برای کاربردهای حوزه رباتیک، یک پلاک یا گردنبند هوش مصنوعی مجهز به نمایشگر اولد و یک دستگاه گرامافون با طراحی آنالوگ و نمایشگر اولد اشاره شده است.

مقالات گرندسیستم

1 دقیقه زمان مطالعه

سامسونگ از اولین تراشه حافظه با بیش از ۴۰۰ لایه برای پردازش هوش مصنوعی رونمایی کرد

سامسونگ از اولین تراشه حافظه با بیش از ۴۰۰ لایه برای پردازش هوش مصنوعی رونمایی کرد سامسونگ در جریان نمایشگاه FMS 2026 در کنار معرفی مفهوم zHBM، از تراشه حافظه V10 BV-NAND رونمایی کرد. این محصول از نسل دهم معماری حافظه فلش V-NAND بهره می‌برد و یک ارتقای فنی بزرگ نسبت به نسل‌های قبلی تراشه‌های فلش محسوب می‌شود. سامسونگ در تولید این تراشه از فناوری جدید اتصال وافر استفاده کرده است و اولین شرکتی در این صنعت محسوب می‌شود که چنین معماری پیشرفته‌ای را به کار می‌گیرد. این تکنولوژی به شرکت اجازه می‌دهد بیش از ۴۰۰ لایه را روی یکدیگر قرار دهد که نتیجه آن افزایش ۵۸ درصدی تراکم حافظه در مقایسه با تراشه‌های نسل نهم است. این معماری جدید همچنین عملکرد خواندن، نوشتن و ورودی/خروجی را بهبود داده و بازدهی انرژی بهتری ارائه می‌دهد. تراشه V10 BV-NAND برای پردازش بارهای کاری سنگین و لحظه‌ای در سرورهای هوش مصنوعی (AI) طراحی شده است تا سرعت بالاتری ارائه دهد و مصرف انرژی را کاهش دهد. با‌این‌حال، سامسونگ هنوز زمان عرضه تجاری آن را اعلام نکرده است، ولی احتمال دارد این تراشه‌ها پیش از معرفی نسل بعدی یعنی V11 در سال ۲۰۲۷ روانه بازار شوند. علاوه‌بر این تراشه، غول فناوری کره‌ای از مدل مفهومی zHBM نیز رونمایی کرد؛ معماری جدیدی که حافظه HBM را به‌صورت عمودی دقیقاً روی شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی قرار می‌دهد. این طراحی فاصله انتقال داده را به حداقل رسانده و پهنای باند را تا ۸ برابر نسبت به HBM5 افزایش می‌دهد. همچنین با بهره‌گیری از اتصال وافر، تراکم حافظه ۱۰ برابر و بازدهی انرژی ۳ برابر بهبود می‌یابد و مقاومت گرمایی را به نصف می‌رساند. READ پایان انحصار سامسونگ؛ تامین ۲۰ درصد از نمایشگرهای OLED آیفون۱۲ به ال‌جی سپرده شد سامسونگ همچنین راهکار zNAND-O را برای محیط‌های هوش مصنوعی در تجهیزات لبه (Edge AI) و پروژه‌های HBM4E و HBM5 را برای مرکز داده ارائه کرد. این شرکت به‌عنوان تنها سازنده یکپارچه در این حوزه، اعلام کرده خدمات کامل از طراحی تا تولید یکپارچه را به مشتریان خود ارائه می‌دهد تا دوره توسعه محصولات هوش مصنوعی را کوتاه‌تر کند.

مقالات گرندسیستم

1 دقیقه زمان مطالعه

رشد ۲۵۰ برابری سود تراشه‌سازی سامسونگ؛ کمبود حافظه تا ۲۰۲۸ شدیدتر می‌شود

رشد ۲۵۰ برابری سود تراشه‌سازی سامسونگ؛ کمبود حافظه تا ۲۰۲۸ شدیدتر می‌شود سامسونگ الکترونیکس اعلام کرد که انتظار دارد وضعیت کمبود جهانی تراشه وخیم‌تر شود و تا سال ۲۰۲۸ ادامه داشته باشد. این اظهارات پس از انتشار گزارش مالی سه‌ماهه دوم سال ۲۰۲۶ مطرح شده که از رشد بیش از ۲۵۰ برابری سود بخش تراشه‌سازی این شرکت خبر می‌دهد و نگرانی‌های سرمایه‌گذاران را درباره احتمال کاهش سرمایه‌گذاری‌های حوزه هوش مصنوعی برطرف کرده است. «جِی‌جون کیم»، معاون ارشد بخش حافظه سامسونگ، در گفتگو با تحلیل‌گران تأکید کرد که کمبود عرضه تراشه‌های حافظه در سال ۲۰۲۷ نسبت به امسال شدیدتر خواهد بود و این روند در سال ۲۰۲۸ نیز ادامه خواهد داشت. وی همچنین اعلام کرده که سامسونگ قراردادهای تأمین بلندمدت (حداقل ۵ ساله) با ۵ شرکت بزرگ دیتاسنتر دنیا امضا کرده و در آستانه نهایی‌کردن قرارداد با ۵ شرکت بزرگ دیگر است. این قراردادها بین ۶۰ تا ۷۰ درصد از کل ظرفیت تولید بلندمدت سامسونگ را به خود اختصاص می‌دهند و برای کاهش ریسک سرمایه‌گذاری، بندهایی مانند دریافت پیش‌پرداخت و تعیین حداقل قیمت در آنها گنجانده شده است. رشد سود بخش تراشه در گزارش مالی سامسونگ بخش نیمه‌رسانا سامسونگ در سه‌ماهه دوم سال ۲۰۲۶ سود عملیاتی ۸۹.۲ تریلیون وون (حدود ۶۱.۷ میلیارد دلار) را ثبت کرد که رشد بیش از ۲۵۰ برابری نسبت به‌ سال گذشته را نشان می‌دهد. درآمد کل شرکت نیز با رشد ۱۳۰ درصدی به ۱۷۱.۵ تریلیون وون (حدود ۱۱۸.۵ میلیارد دلار) رسیده و سود عملیاتی کل مجموعه ۸۹.۵ تریلیون وون (حدود ۶۱.۹۸ میلیارد دلار) ثبت شده که بیشتر از کل سود سه سال گذشته این شرکت است. سامسونگ اعلام کرد درآمد حاصل از حافظه‌های با پهنای باند بالا (HBM4) در سه‌ماهه سوم بیش از سه‌برابر خواهد شد. همچنین این شرکت انتظار دارد بخش ریخته‌گری آن که با TSMC و اینتل رقابت می‌کند، به دلیل افزایش نرخ بهره‌برداری از کارخانه‌ها به سودآوری برسد. READ راهنمای حذف نرم افزار فلش پلیر از ویندوز و مکتولید سامسونگ در کارخانه تگزاس امسال آغاز می‌شود و شروع کار دومین کارخانه برای تولید انبوه در سال ۲۰۳۰ برنامه‌ریزی شده است. وضعیت سود سه‌ماهه سامسونگ در سال‌های اخیر در کنار این رکوردشکنی‌ها، افزایش شدید قیمت تراشه‌های حافظه به بخش‌های دیگر ضربه زده است؛ به‌طوری‌که بخش موبایل سامسونگ برای نخستین‌بار زیانی ۷۰۰ میلیارد وونی ثبت کرد. همچنین «پارک سون-چول»، مدیر مالی سامسونگ، اعلام کرد این شرکت به دلیل درآمد نقد مستمر و باثبات از بخش‌های مختلف خود، نیازی به جذب سرمایه جدید از طریق عرضه سهام در بازار آمریکا ندارد. پس از انتشار این گزارش مالی، سهام سامسونگ به‌عنوان بزرگ‌ترین تولیدکننده تراشه‌های حافظه در جهان، ابتدا رشدی تا ۸ درصدی را تجربه کرد، اما در ادامه روز با ۱.۱ درصد کاهش معامله شد.

مقالات گرندسیستم

1 دقیقه زمان مطالعه

سامسونگ شتاب‌دهنده هوش مصنوعی Gaia را برای کامپیوترها آماده می‌کند

سامسونگ شتاب‌دهنده هوش مصنوعی Gaia را برای کامپیوترها آماده می‌کند طبق گزارش‌ها، سامسونگ درحال ارسال نمونه‌های اولیه پردازنده هوش مصنوعی اختصاصی خود برای نسل بعدی کامپیوترهای AI به سازندگان پیشرو کامپیوتر، مانند اچ‌پی و لنوو است. به گزارش رسانه Chosun، این تراشه که با نام رمز Gaia توسعه یافته است، توسط واحد تجاری System LSI این شرکت طراحی شده و هدف آن کاهش بارهای کاری مرتبط با هوش مصنوعی از روی دوش پردازنده مرکزی (CPU) و پردازشگر گرافیکی (GPU) است. برنامه‌ریزی سامسونگ برای عرضه تراشه هوش مصنوعی Gaia تراشه Gaia سامسونگ برای سرعت بخشیدن به بارهای کاری هوش مصنوعی مولد در کامپیوترها طراحی شده و با استفاده از فرایند ساخت کلاس ۴ نانومتری این شرکت تولید می‌شود. این تراشه که اساساً یک واحد پردازش عصبی (NPU) است، درحال‌حاضر توسط شرکت HP در ایالات متحده و لنوو در چین درحال ارزیابی است تا عملکرد آن سنجیده شود و بررسی کنند آیا ادغام Gaia در سیستم‌هایشان که برای اواخر ۲۰۲۷ یا اوایل ۲۰۲۸ برنامه‌ریزی شده‌اند، منطقی است یا خیر. این گزارش جزئیاتی درباره اینکه Gaia چه تفاوت‌هایی با NPUهای یکپارچه موجود در پردازنده‌های رایزن ای‌ام‌دی، اینتل یا اسنپدراگون کوالکام دارد و آیا می‌تواند مزایای عملکردی چشمگیری ارائه دهد یا خیر، ارائه نمی‌دهد. بااین‌حال، گزارش‌ها حاکی از آن است که این NPU (یا احتمالاً مشتقات آن بر اساس همان معماری) می‌تواند برای پیاده‌سازی‌های نسل بعدی سامسونگ از فناوری پردازش درون حافظه (PIM) استفاده کند. فناوری اصلی PIM سامسونگ به‌گونه‌ای طراحی شده بود که منطق محاسباتی را مستقیماً درون آرایه حافظه HBM تعبیه کند و جابه‌جایی داده‌ها را بین ماژول‌های حافظه HBM و پردازنده‌های میزبان کاهش دهد. هدف PIM تسریع بارهای کاری خاص بود، اما برخلاف GPUهای هوش مصنوعی و HPC که بسیار کارآمد شده و از اکوسیستم‌های بالغی برخوردار بودند، PIM نتوانست چندان همه‌گیر شود. READ اپ هواشناسی سامسونگ در One UI 8 تغییرات بزرگی خواهد داشتشاید اگر NPU آتی Gaia بتواند حمایت سازندگان سخت‌افزار و شرکای اکوسیستم را جلب کند، این امر به تقویت پیاده‌سازی نسل بعدی PIM سامسونگ نیز کمک کند. بااین‌حال، NPUهای مستقل و PIM از اساس به قدری با یکدیگر متفاوت هستند که تصور اشتراک‌گذاری یک معماری مشترک دشوار است. با این وجود، منطق PIM می‌تواند از نظر دستورالعمل‌های پشتیبانی‌شده و فرمت‌های داده، زیرمجموعه‌ای از یک NPU باشد و این دو بخش مطمئناً می‌توانند یک چارچوب نرم‌افزاری مشترک را به اشتراک بگذارند. یکی از نکات جالب توجه درباره Gaia این است که ظاهراً توسط بخش LSI سامسونگ توسعه یافته است؛ یعنی همان واحد تجاری در این شرکت که مسئولیت توسعه پردازنده‌های اگزینوس (Exynos)، راهکارهای خودرویی، تراشه‌های ارتباطی، پردازنده‌های سیگنال تصویر (ISP)، پردازنده‌های سیگنال دیجیتال (DSP)، درایورهای نمایشگر و سنسورهای تصویر را برعهده دارد. با توجه به ماهیت چندبعدی واحد LSI سامسونگ و اهمیت استراتژیک آن برای این شرکت، سامسونگ قطعاً امید زیادی به موفقیت تراشه Gaia دارد.

مقالات گرندسیستم

1 دقیقه زمان مطالعه

تهدید نوظهور برای سامسونگ؛ CXMT با فرایند تولید جدید به‌دنبال ورود به بازار DDR6 است

تهدید نوظهور برای سامسونگ؛ CXMT با فرایند تولید جدید به‌دنبال ورود به بازار DDR6 است تجاری‌سازی رم‌های DDR6 بین سال‌های ۲۰۲۸ تا ۲۰۲۹ پیش‌بینی می‌شود، اما شرکت چینی CXMT و زنجیره تأمین آن هم‌اکنون درحال دستیابی به پیشرفت‌های فنی هستند تا اطمینان حاصل کنند که پیش از آنکه سامسونگ و اس‌کی هاینیکس فرصت تثبیت قدرت خود در بازارهای جهانی را داشته باشند، خودی نشان دهند. برای اطمینان از اینکه گذار از DDR5 به DDR6 به شکلی روان و کارآمد انجام شود، این سازنده حافظه چینی یک تولیدکننده جدید را وارد چرخه کرده است که درحال بررسی فرایندی «مبتنی بر پنل» (Panel-based) به جای روش‌های موجود برای تولید DDR4 و DDR5 است. رم DDR6 از طراحی چندلایه بهره می‌برد و نیازمند بازنگری در تولید است تا بازدهی CXMT کاهش نیابد برای تولید DDR4 و DDR5، شرکت CXMT نیازی به توسل به رویه‌های تولید پیچیده ندارد، زیرا هر دو استاندارد مذکور به زیرلایه‌هایی نیاز دارند که بازدهی تولید را به خطر نیندازند. با وجود اینکه حافظه‌های DDR5 این شرکت در سرعت‌های مشابه، عملکرد ضعیف‌تری نسبت به نمونه‌های اس‌کی هاینیکس دارند، CXMT مشتاق است که به سمت تولید DDR6 حرکت کند. برای کمک به این گذار، ETNews گزارش داده که شرکت «Haesung DS» که جدیدترین عضو زنجیره تأمین CXMT و تولیدکننده پیشرو در زمینه زیرلایه‌های بسته‌بندی است، ظاهراً توانسته است در سه‌ماهه اول سال ۲۰۲۶، آخرین تست‌های کیفیت خود را برای زیرلایه‌های بسته‌بندی DDR5 پشت سر بگذارد. تولید DDR4 و DDR5 با استفاده از روشی ارزان‌قیمت به نام «Reel-to-Reel» امکان‌پذیر بود. با ورود به نسل رم‌های DDR6، شرکت Haesung DS درحال پیشروی با یک روش جدید است که نویدبخش طراحی‌های چندلایه برای حافظه‌های نسل بعدی است و به حفظ کارایی تولید بدون برخورد با موانع کمک می‌کند. به لحاظ تئوری، روش فعلی Reel-to-Reel نیز می‌تواند برای تولید DDR6 استفاده شود، اما با افزایش تعداد لایه‌های مدار، سودآوری و کارایی این روش کاهش می‌یابد که باعث می‌شود رویکرد مبتنی بر پنل انتخاب مطمئن‌تری باشد. درحالی‌که سامسونگ و اس‌کی هاینیکس هم‌اکنون درحال توسعه رم‌های DDR6 هستند، CXMT درحال مسابقه با زمان است؛ اما نام این شرکت به لطف کمبود مداوم DRAM، در راهروهای زنجیره تأمین طنین‌انداز شده است. از آنجایی که شرکت‌ها قادر به تأمین محموله‌های کافی نیستند، حضور CXMT به عنوان یک راهکار برای کاهش ریسک تأمین برای چندین مشتری مطرح است. شرکت اپل که گزارش شده در حال بررسی همکاری با این سازنده چینی است، هم‌اکنون در حال آزمایش تراشه‌های حافظه این شرکت است که باید انگیزه کافی برای CXMT جهت تسریع توسعه DDR6 باشد. این گزارش به طور دقیق ذکر نمی‌کند که حافظه‌های DRAM ساخت چین چه زمانی وارد فاز تولید انبوه می‌شوند، اما بازار با دقت این تحولات را زیر نظر دارد. READ تماشا کنید: ویدئوی تبلیغاتی سامسونگ با هدف معرفی برخی از قابلیت های S Pen

مقالات گرندسیستم

1 دقیقه زمان مطالعه

نابرابری در اعطای پاداش، ۸۰ درصد کارکنان تراشه‌سازی سامسونگ را به مرز استعفا کشاند

نابرابری در اعطای پاداش، ۸۰ درصد کارکنان تراشه‌سازی سامسونگ را به مرز استعفا کشاند سیاست جدید پرداخت پاداش در سامسونگ، با ایجاد یک طبقه اشرافی از کارکنان در بخش تولید حافظه، خشم و نارضایتی عمیقی را در سایر بخش‌های این شرکت برانگیخته است. این تصمیم تبعیض‌آمیز سبب شده تا رفتارهای اعتراضی شدیدی در میان کارمندان شکل بگیرد؛ برای مثال کارکنان بخش موبایل با لباس‌های یکدست مشکی به نشانه عزاداری در محل کار حاضر شدند و کارمندان بخش تراشه‌سازی نیز تمایل زیادی به استعفا و پیوستن به شرکت‌های رقیب پیدا کرده‌اند. به گزارش Wccftech، جدیدترین نظرسنجی انجام‌شده توسط شاخه تخصصی «اتحادیه کارگری شرکت‌های متحد» که بزرگ‌ترین تشکل کارگری در مجموعه سامسونگ از نظر تعداد اعضا است، آمار جالبی را از وضعیت روانی کارکنان آشکار کرده است. براساس نتایج این نظرسنجی که با مشارکت ۸,۲۹۷ نفر از کارکنان بخش فاندری (تراشه‌سازی) انجام شد، ۸۱.۵ درصد از شرکت‌کنندگان اعلام کرده‌اند که تصمیم قطعی برای ترک این شرکت و مهاجرت به موقعیت‌های شغلی بهتر دارند. در تحلیل‌های آماری و صنعتی، مرز نارضایتی ۶۲ درصدی معمولاً به عنوان وضعیتی بحرانی و بسیار قرمز در نظر گرفته می‌شود. اکنون ثبت آمار بالای ۸۰ درصد در بخش فاندری، بالاترین میزان نارضایتی را در میان بخش‌های مختلف سامسونگ نشان می‌دهد. این وضعیت ناامیدکننده به بخش فاندری محدود نمی‌شود؛ چرا که ۷۵.۴ درصد از کارکنان بخش طراحی تراشه LSI و ۶۰.۶ درصد از مهندسان شاغل در مرکز تحقیق‌وتوسعه نیمه‌رسانا نیز تمایل شدید خود را برای خروج از شرکت ابراز کرده‌اند. این نرخ تمایل به استعفا در بخش حافظه کمتر از ۳۲.۷ درصد ذکر شده که نشان‌دهنده قطب‌بندی شدید رفاهی در درون یک هلدینگ واحد است. READ دو نیم شدن ساچمه تفنگ بادی با چاقوی نظامی [تماشا کنید] تمایل کارکنان تراشه‌سازی سامسونگ به استعفا ریشه اصلی این بحران و شکاف طبقاتی به توافق‌نامه‌ای بازمی‌گردد که سامسونگ در ماه مه سال جاری با کارمندان بخش حافظه امضا کرد. براساس این طرح ویژه عملکرد، کارکنان بخش حافظه مجاز هستند پاداش خاصی معادل ۱۰.۵ درصد از کل سود عملیاتی سالانه این شرکت را میان خود تقسیم کنند. البته شرط فعال‌شدن این بند حمایتی آن است که سود عملیاتی سالانه شرکت در بازه سال‌های ۲۰۲۶ تا ۲۰۲۸ از مرز ۲۰۰ تریلیون وون (۱۳۴ میلیارد دلار) عبور کند و برای سال‌های ۲۰۲۹ تا ۲۰۳۵ نیز بالای ۱۰۰ تریلیون وون (۶۷ میلیارد دلار) باقی بماند. با توجه به پیش‌بینی تحلیل‌گران وال‌استریت مبنی‌بر دستیابی سامسونگ به سود عملیاتی چشمگیر ۳۰۰ تریلیون وون (معادل ۲۰۰ میلیارد دلار) در سال جاری، سهم هر کارمند در بخش تولید حافظه به‌طور متوسط حدود ۶۰۰ میلیون وون (نزدیک به ۴۰۰ هزار دلار) تنها در قالب پاداش خواهد بود. این درحالی است که کارمندان بخش موبایل این شرکت امسال پاداشی معادل ۶ میلیون وون (حدود ۴ هزار دلار) دریافت خواهند کرد.

مقالات گرندسیستم

1 دقیقه زمان مطالعه

سامسونگ و آنتروپیک احتمالاً تراشه‌های هوش مصنوعی ۲ نانومتری تولید می‌کنند

سامسونگ و آنتروپیک احتمالاً تراشه‌های هوش مصنوعی ۲ نانومتری تولید می‌کنند با داغ‌تر شدن رقابت در حوزه هوش مصنوعی، گزارش‌ها حاکی از آن است که بخش سامسونگ فاندری (Samsung Foundry) موفق شده قراردادی را برای تولید تراشه‌های هوش مصنوعی شرکت آنتروپیک منعقد کند. شرکت Anthropic به لطف مدل‌های هوش مصنوعی پیشرفته خود، به‌آرامی به یکی از مهم‌ترین بازیگران این صنعت تبدیل شده است. از آنجایی که بازار نیمه‌هادی‌های هوش مصنوعی همچنان به شدت متمرکز است و بخش عمده‌ای از تراشه‌ها توسط انویدیا طراحی و فروخته می‌شود، بازیگران بزرگی نظیر گوگل، OpenAI و آمازون در حال طراحی تراشه‌های سفارشی خود هستند. منابع آگاه می‌گویند قرارداد سامسونگ با آنتروپیک نه‌تنها به بخش تولید تراشه این شرکت اجازه می‌دهد تا به مسیر رشد بازگردد، بلکه به آن‌ها کمک خواهد کرد تا کسری بودجه فعلی خود را جبران کنند. استفاده آنتروپیک از فرایند تولید ۲ نانومتری سامسونگ برای تراشه‌های هوش مصنوعی گزارش امروز به بیانیه مطبوعاتی Anthropic برای دور تأمین مالی سری H اشاره دارد. این دور از تأمین مالی در ماه مه تکمیل شد و این شرکت فهرستی از شرکایی را اعلام کرد که در تأمین بودجه کمک کرده و به‌عنوان «شرکای استراتژیک زیرساختی» ثبت‌نام کرده‌اند. غول‌های حافظه یعنی سامسونگ، اس‌کی هاینیکس و میکرون از جمله شرکای زیرساختی آنتروپیک بودند و این شرکت اضافه کرد که آن‌ها کمک خواهند کرد تا «محاسبات ما با سرعتی که مشتریانمان نیاز دارند، به شکلی قابل‌اطمینان مقیاس‌پذیر شود.» طبق گفته منابع صنعتی که توسط نشریه کره‌ای NewsWorks نقل شده است، از آنجایی که سامسونگ تنها شرکت در میان شرکای زیرساختی آنتروپیک است که بخش فاندری با قابلیت تولید تراشه‌های غیرحافظه‌ای دارد، احتمال بسیار زیادی وجود دارد که سفارش‌های محصولات این شرکت را دریافت کند. این گزارش همچنین ادعا می‌کند که سامسونگ موفق شده آنتروپیک را به‌عنوان مشتری فاندری جذب کند و یک منبع داخلی تأیید کرده که این بخش تصمیم گرفته است تراشه‌های آنتروپیک را تولید کند. طبق گفته این منبع، انتظار می‌رود این سفارش‌ها، شرایط کسری بودجه بخش فاندری را تغییر دهند. گزارش امروز در پی ادعاهای مدیریت سامسونگ مطرح می‌شود که اعلام کرده بود تراشه «AI5» تسلا وارد مرحله «Tape-out» شده است. «Tape-out» آخرین مرحله در فرایند طراحی نیمه‌هادی است؛ از طریق این مرحله، طراحی نهایی تراشه به فاندری ارسال می‌شود تا تولیدکننده بتواند ابزارهای خود را برای مطابقت با مشخصات فنی کالیبره کند. براساس جزئیات منتشرشده، «کیم جونگ-گون»، از مهندسان ارشد سامسونگ فاندری در لینکدین نوشت: «تراشه AI5 تسلا-سامسونگ وارد مرحله Tape-out شده است (مرحله‌ای که طراحی تکمیل شده و نقشه‌ها به کارخانه فاندری تحویل داده می‌شوند).» او افزود: «این تراشه قرار است در کارخانه تیلور (Taylor) با استفاده از فرایند ۲ نانومتری تولید شود و به‌زودی در جدیدترین محصولات تسلا نصب خواهد شد.» ایلان ماسک، مدیرعامل تسلا، در ماه ژانویه ادعاهای بزرگی درباره AI5 مطرح کرد و اظهار داشت که این تراشه به‌طور قابل‌توجهی ارزان‌تر است، انرژی کمتری مصرف می‌کند و با محصولات Blackwell و Hopper انویدیا رقابت خواهد کرد.

مقالات گرندسیستم

1 دقیقه زمان مطالعه

قیمت اس‌اس‌دی‌های نسل ۵ سامسونگ 9100 PRO با مدل‌های نسل ۴ تقریباً برابر شد

اس‌اس‌دی‌های نسل ۵ سامسونگ (9100 PRO) با کاهش قیمت چشمگیر، اکنون هم‌قیمت مدل‌های نسل ۴ (990 پرو) شده‌اند. The post قیمت اس‌اس‌دی‌های نسل ۵ سامسونگ 9100 PRO با مدل‌های نسل ۴ تقریباً برابر شد appeared first on دیجیاتو.

مقالات گرندسیستم

1 دقیقه زمان مطالعه

سامسونگ تولید انبوه اولین حافظه PCIe 6.0 خود را برای سرورهای هوش مصنوعی آغاز کرد

سامسونگ تولید انبوه اولین حافظه PCIe 6.0 خود را برای سرورهای هوش مصنوعی آغاز کرد سامسونگ الکترونیکس اعلام کرد که تولید انبوه حافظه اس‌اس‌دی PM1763 مبتنی بر PCIe 6.0 را که برای نسل بعدی سرورهای هوش مصنوعی و محیط رایانش سریع (HPC) مثل Vera Rubin انویدیا بهینه‌سازی شده، آغاز کرده است. از آنجایی که حجم داده‌های مورد نیاز برای آموزش و استنتاج هوش مصنوعی با سرعت بالایی درحال رشد است، SSDهایی که قادر به تحویل سریع و قابل‌اعتماد داده‌ها هستند، به بخش مهمی از زیرساخت‌های هوش مصنوعی تبدیل شده‌اند. عملکرد ارتقایافته حافظه PM1763 سامسونگ حافظه PM1763 با بهره‌گیری از انتقال داده با سرعت بالا و معماری کنترلر بهینه‌شده، انتظار می‌رود به‌عنوان یک راهکار ذخیره‌سازی کلیدی برای پلتفرم‌های هوش مصنوعی با کارایی بالا عمل کند. این محصول با ادغام نسل نهم فناوری V-NAND سامسونگ و یک کنترلر ۴ نانومتری که به تازگی توسعه یافته، هم عملکرد و هم بازدهی انرژی را به شکل چشمگیری بهبود می‌بخشد. مدل PM1763 در ظرفیت‌های ۴ ترابایتی، ۸ ترابایتی و ۱۶ ترابایتی در دسترس است که پیکربندی ۱۶ ترابایتی آن طبق ادعای سامسونگ، با سرعت خواندن و نوشتن متوالی به ترتیب تا ۲۸,۴۰۰ مگابایت‌برثانیه و ۲۱,۹۰۰ مگابایت‌بر‌ثانیه عملکرد پیشرو در صنعت ارائه می‌دهد. همچنین این مدل بیش از ۲ برابر عملکرد نسل قبلی خود، PM1753، را ارائه می‌کند. گزارش‌ها می‌گویند این سطح از عملکرد اجازه می‌دهد تا اطلاعات یک مدل بزرگ زبانی (LLM) با حجم ۴۰ گیگابایت در تقریباً ۱.۴ ثانیه منتقل شود که این امر تأخیر داده‌ها بین پردازنده‌ها و شتاب‌دهنده‌ها را به حداقل می‌رساند و درعین‌حال باعث بهبود کارایی کلی پردازش هوش مصنوعی می‌شود. حافظه PM1763 از فناوری خنک‌کننده مستقیم D2C استفاده می‌کند تا در سرورها برای بهره‌گیری از خنک‌کننده مایع بهینه باشد. این امر باعث می‌شود تا حافظه حتی در زمان انجام کارهای سنگین و شرایط عملیاتی طولانی‌مدت پایداری خود را حفظ کند. بازدهی انرژی نیز در مقایسه با نسل قبلی بیش از ۱.۸ برابر بهبود یافته است که به کاهش هزینه‌های کلی عملیاتی مرکز داده کمک می‌کند.

مقالات گرندسیستم

1 دقیقه زمان مطالعه

اینتل با گره پردازشی 14A2 و معماری دوطرفه به جنگ TSMC و سامسونگ می‌رود

اینتل با گره پردازشی 14A2 و معماری دوطرفه به جنگ TSMC و سامسونگ می‌رود رقابت در بازار ریخته‌گری (Foundry) تراشه‌ها با نزدیک شدن TSMC و سامسونگ به فناوری‌های ۱.۴ نانومتری، به شدت داغ شده است. شرکت TSMC قصد دارد کارخانه‌های تولید A14 خود را از سال آینده راه‌اندازی کند و سامسونگ نیز هدف خود را برای تولید انبوه ۱.۴ نانومتری در سال ۲۰۲۹ تعیین کرده است. در این میان، اینتل آماده است تا فناوری پیشگامانه 14A خود را در سال پیش رو عرضه کند؛ چرا که مشتریان خارجی برای بهره‌مندی از خدمات ساخت و تولیدِ احیاشده این شرکت، صف کشیده‌اند. همزمان با این تحولات، اینتل درحال بررسی به‌روزرسانی‌هایی برای نقشه راه فناوری ساخت خود است. این به‌روزرسانی‌ها عمدتاً با هدف رویارویی با رقابت پیش رو در برابر TSMC و سامسونگ انجام می‌شود. طبق گزارش ETNews، یکی از این موارد، افزودن یک گره پردازشی کاملاً جدید به نام 14A2 است که نسخه بهینه‌شده‌ای از فناوری استاندارد 14A محسوب می‌شود. فناوری 14A اینتل از PowerDirect استفاده می‌کند که شبکه‌های توزیع برق در پشت تراشه (BSPDN) را به آن اضافه کرده است. بااین‌حال، گره 14A2 قرار است به یک معماری «دوطرفه» (Dual-Side) مجهز شود که از توزیع برق هم از سمت جلو و هم از سمت پشت تراشه بهره می‌برد. در گره پایه 14A، فاصله اتصالات (M0 pitch) ۲۸ نانومتر است، اما در گره 14A2 این فاصله به ۲۱ نانومتر کاهش خواهد یافت. طبق گفته منابع صنعتی، اینتل پیش از این قصد داشت فناوری PowerDirect (مختص شبکه‌های توزیع برق پشت تراشه) را بر روی گره پایه ۱.۴ نانومتری خود یعنی 14A اعمال کند، اما گزارش‌ها حاکی از آن است که این شرکت درحال بررسی معرفی معماری «دوطرفه» برای گره بعدی یعنی 14A2 است که از هر دو سمت جلو و پشت برای توزیع برق استفاده می‌کند. این امر از طریق بهبودهایی مانند الگوسازی دوگانه (Double Patterning) امکان‌پذیر می‌شود که علاوه‌بر بهبود توزیع، باعث افزایش چگالی تراشه نیز می‌گردد. از آنجایی که 14A قرار است ۳۰ درصد افزایش در چگالی ترانزیستورها ارائه دهد، می‌توان انتظار چگالی بیشتری را در 14A2 داشت. اگرچه این پیشرفت به بهره‌وری بیشتر از تجهیزات High-NA EUV کمک کرده و سودآوری هر دستگاه را افزایش می‌دهد، اما کاهش فاصله اتصالات به ۲۱ نانومتر با پیچیدگی‌هایی نظیر افزایش مقاومت الکتریکی همراه است. همچنین، «نانو سوراخ‌های سیلیکونی» (nTSVs) فعلی برای مدیریت این چگالی‌های افزایش‌یافته طراحی نشده‌اند. به همین دلیل گفته می‌شود که اینتل ساختاری ترکیبی را اتخاذ کرده است؛ ساختاری که در آن BSPDN به‌عنوان منبع اصلی توزیع برق عمل می‌کند، اما بخشی از توان نیز به فلزات روی سطح جلویی تراشه اختصاص می‌یابد. شرکت‌های تولیدکننده نیمه‌رسانا با افزایش تقاضای بی‌سابقه برای محاسبات و هوش مصنوعی، با تمام توان درحال فعالیت هستند. با اشباع شدن TSMC از سفارش‌های متعدد، تولیدکنندگان تراشه درحال روی آوردن به دیگر شرکت‌های ریخته‌گری مانند اینتل و سامسونگ هستند. اینتل درحال‌حاضر اعتمادبه‌نفس بیشتری پیدا کرده، اما همچنان باید در کسب‌وکار تولید نیمه‌هادی، به‌ویژه برای مشتریان خارجی خود، توانایی‌هایش را اثبات کند. در همین راستا، محصولات و گره‌هایی نظیر 18A-P ،14A و اکنون 14A2، تمام نگاه‌ها را به سوی خود جلب کرده‌اند.